有機硅是以產品開發為重點發展起來的，對高附加值下游產品的開發是幾乎所有有機硅企業的業務重點。綜合國內外情況，目前有機硅下游產品的開發主要集中在以下行業。
一、微電子工業
有機硅材料因耐熱、電性能優越，早就在電子工業中以雙組分室溫硫化硅橡膠形式作為灌注料、包封料使用。其后，單組分室溫硫化硅橡膠和加成型硅橡膠又相繼成為電子工業新寵。目前，隨著電子工業的發展，除灌注包封材料外，還有很多種有機硅單體和特種有機硅精細化學品成為電子工業中的關鍵材料。
有報道稱，2010年電子產品對有機硅材料的需求將占有機硅總量的18%，硅凝膠市場的年均增長率為8.3%。另有報道稱美國、日本電子用有機硅材料需求年增長率分別為4.7%、6.4%，2010年市場規模將分別達到37億美元、3.8億美元，
1.涂覆、灌注、包封材料
1.1 發光二極管封裝
當前，使用節能的發光二極管（LED）作為重要的社會節電措施成為社會關注熱點，其可替代白熾燈，可用于汽車頭燈照明，具有重要的節能意義，發展前景看好。發光二極管的粘結、封裝、涂層或包封離不開有機硅材料。
高亮度發光二極管還被廣泛用于液晶顯示器的背光光源，發展潛力巨大。其對封裝材料的要求很高，不但要求透明、不變色，很好的光效率，還要求散熱性好、、高可靠。一般的環氧樹脂會受熱發黃，不能滿足高亮度發光二極管的封裝要求。而有機硅材料光學特性好，透光率90%以上，耐候、耐熱，高熱環境下不黃變，能吸收沖擊，粘結性好、柔軟，且兩個液態組分混合不產生氣泡，無溶劑，環保，符合封裝要求。近年來跨國公司陸續推出多種該類包封料和粘結材料，按材料形態有分凝膠型 、彈性體型、樹脂型（光學鏡片用）等，也有不同硬度（低、中、高）系列，固化方式則有雙組分室溫固化型、雙組分加熱固化型。許多產品折射率很高（達1.53），對波長400 nm的光線可透過90%以上。
一些公司圍繞增長快速的LED市場，推出了高粘度、高純度及耐潮濕、熱穩定的有機硅密封膠。還有公司開發出LED專用雙組分液態有機硅高折射率、高硬度硅樹脂，可以灌注和封裝一起完成。還有一種專門用于LED封裝，透明、厚密封的封裝膠是用含有若干個乙烯基的聚硅倍半氧烷（用乙烯基三甲氧劑硅烷與其他烷基三甲氧劑硅烷做成）與甲基氫四環體作用再加熱固化制成的。
1.2 液晶面板薄膜晶體管（TFT）平面化
液晶面板薄膜晶體管平面化也是研究熱點，它需要新型透光性涂覆材料。傳統的透明涂覆材料一般是丙烯酸酯系，但丙烯酸酯系在受熱后會變黃，而有機硅材料受熱后不會發黃，且透明性好、耐久，用其涂覆的液晶面板對比度好，也不會因凹凸原因使液晶配向混亂導致對比度差而影響性能。數據顯示，聚硅氧烷系列材料在波長400 nm時透過率達98%，而丙烯酸酯系為88%。
因液晶面板薄膜晶體管平面化是熱點，所以各公司競相推出新產品，競爭十分激烈。有家公司推出了耐熱、機械強度好、價格低的雙組分凝膠，不但適用于電子工業，而且適用于汽車、航天、通訊等領域。
1.3 散熱用硅材料
散熱用硅橡膠方面研究較多：如用于CPU發熱體與散熱體間的熱傳導材料等。該類材料耐熱性好，有長期穩定良好的絕緣性、難燃性。還可用于家電、游戲機、汽車電器等。
超低硬度散熱用硅橡膠的硬度可以做到只有傳統產品的1/10，導熱率高，在凹凸表面接觸好，有的品種的導熱率2.7 W/mk，厚度一般為0.5～5 mm。
1.4 光刻膠
有兩家公司合作開發了含大量硅的光刻膠，這對光刻膠行業來說是個突破。該類光刻膠是兩家公司用各自特有的聚合物及光敏材料共同生產的，解決了過去使用單純的硅材料會放出氣體的問題。據稱該產品主要用于65 nm芯片。
此外，有材料顯示可將硅材料用于可充電電池，包括陽極和陰極膜，能增強電池的電量和性，該領域已有人用含環氧基的三甲氧劑硅烷和四乙氧基硅烷與聚苯并咪唑做成鑄膜。
2.電子工業用有機硅單體
為使半導體器件小型化，須千方百計降低k值，以提高信號處理速度，降低能耗。這一領域使用了多種有機硅單體。主要有：
2.1 三甲基硅烷（CH3）3SiH
三甲基硅烷單體（3MS）是制作以硅為基礎的低k值（k=2.7或2.2）的層間絕緣物(ILD)和擴散阻隔膜的原料，使用三甲基硅烷單體對環境無害、價廉。先進半導體器件低k值內層絕緣主要用于制造線寬90 nm的器件。有公司已在進行數十噸規模的三甲基硅烷的生產。
2.2 聚硅氮烷（PHPS）
聚硅氮烷具有玻璃的性能，收縮率小，高透明，耐熱，光滑，耐磨，主要用于半導體，它在半導體底材上能形成淺溝，適用于半導體工業65nm以下的線條，還可作汽車保護涂料，防污、外墻涂料等許多用途。由于存儲器等先進半導體器件的需求擴大，其用量增長迅猛，有公司聚硅氮烷產能近年來已擴大了5倍。
2.3 四甲基環四硅氧烷
線條寬度90 nm和65 nm芯片制作中的低k材料，仍廣泛使用前（驅）體為Me3SiH或四甲基環四硅氧烷的摻碳的二氧化硅。用CVD法沉積四甲基環四硅氧烷獲得的硅芯片k值約為3。
2.4 甲基二乙氧基硅烷
有公司用甲基二乙氧基硅烷做成多孔的低k材料。（porous diethoxymethylsilane）CVD法沉積甲基二乙氧基硅烷時使用有機致孔劑萜品烯（porogen（poro－generating materials）如α－terpinene（萜品烯，松油烯）），再通過紫外線固化燒掉致孔劑留下孔，使k值低于2.5。有的公司已將此技術用于下一代32 nm的芯片開發，預計2009年推出產品。
2.5 聚硅倍半氧烷（POSS）
聚硅倍半氧烷或稱多面體籠形聚硅倍半氧烷（RSiO1.5）n是一類屬于“納米”材料范疇的有機-無機雜化物。聚硅倍半氧烷中Si-Si的距離為 ～ 0.5 nm；R-R的距離為 ～ 1.5 nm。這類化合物的特點是無低分子物放出、對環境無害，有固態的、也有液態的。
這種多面體聚硅倍半氧烷在上世紀末就已開發出很多用途，其添加到聚合物中可以提高聚合物的耐熱性和粘彈性等，如其與聚酯相混后，聚酯的熔點、Tg、彎曲模量和強度都有提高。
對于它的研究開發仍方興未艾，這是因為籠形聚硅倍半氧烷分子結構中R基團可以根據性能要求而隨意變更，如含羥基的T8-硅倍半氧烷可作為熱塑性塑料的改性劑、中間絕緣層、密封劑、涂料等。含苯基的籠形聚硅倍半氧烷可以與聚碳酸酯做成復合材料，能保持透明性，還能提高機械強度。含對硝基苯鈦的籠形聚硅倍半氧烷可作為PET的催化劑。含羥基的籠形聚硅倍半氧烷也可以看作是高功能化的多元醇，可用它作為聚合物的結構單元。
籠形聚硅倍半氧烷是一類在電子等領域有很大應用前景的化學品。例如：為了制造更小的芯片，所使用的材料包含聚甲基硅倍半氧烷，也有聚氫硅倍半氧烷。一般加入致孔材料后材料k值可降至2.2；聚氫硅倍半氧烷還可作超高解析光刻膠。
目前由一家日本公司經銷、美國開發的Q8系列（Q1～Q8）聚硅倍半氧烷，能制作LED封裝料、光刻膠等，在日本每100克售價數萬日元（合數百美元）。該公司預計到2010年銷售額能達到5億日元（約500萬美元），足以說明其作用。
3.研發新動向
3.1碳化硅
一些跨國公司正著力研究碳化硅（SiC）材料，并使之工業化，這類材料是寬帶隙器件的重要材料，可用于雷達、手機制造等，將成為下一代功率半導體元件的原料。其主要原料是硅烷。單硅烷在電子工業早有應用，包括制聚硅烷、氧化硅、氮化硅等。
主要跨國公司與電子信息工業的合作反映出其發展重點正放到以硅為原料的材料和電子工業所需的硅化合物。
3.2 有機發光材料
據報道，有機發光材料的研究開發也包含有機硅材料的研究。如含咔唑的聚有機硅氧烷的持久場致發光器件；有發光性（發綠/黃譜）的六甲基二硅氧烷等離子沉積膜；蒽的硅烷基化衍生物用作發光化合物、熒光發光體主體，電子輸送材料，可制作場效應管，有機薄膜晶體管、有機集成電路、有機太陽能電池、有機電發光器件等。
