主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、材料科學(xué)、納米技術(shù)、光電子、薄膜技術(shù)等領(lǐng)域，具有以下用途：

1. 半導(dǎo)體器件測(cè)試與表征：用于不同溫度下的半導(dǎo)體料件、電子器件和光電子器件的性能測(cè)試和分析。

2. 材料性能表征：研究和測(cè)試材料在不同溫度下的電學(xué)、磁學(xué)、光學(xué)等性能，以及材料的穩(wěn)定性和可靠性。

3. 納米結(jié)構(gòu)與納米器件研究：在納米尺度上測(cè)量納米結(jié)構(gòu)與納米器件的電學(xué)性能，及其在高溫真空環(huán)境中的穩(wěn)定性和可靠性。

4. 薄膜與界面性能研究：在真空環(huán)境中測(cè)試薄膜、多層膜和薄膜器件等的電學(xué)、光學(xué)性能，以及薄膜與界面狀態(tài)的評(píng)價(jià)。

5. 表面處理與效應(yīng)研究：對(duì)材料表面進(jìn)行表征，并在高溫真空條件下研究表面處理方法，如氧化、氮化、硅化等的效應(yīng)。

6. 功能材料及元器件的研發(fā)：開(kāi)展各種功能材料及元器件的研究與開(kāi)發(fā)工作，提高材料的性能水平，為電子、光電子、訊通等新技術(shù)的應(yīng)用提供支持。

7. 微電子技術(shù)與工藝研究：探索制備新型而的微電子器件，開(kāi)發(fā)具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的微電子器件和工藝。

8. 熱學(xué)性能測(cè)試與研究：測(cè)量和研究新材料、新器件以及其它元器件在不同溫度下的熱學(xué)性能，如熱導(dǎo)率、熱膨脹系數(shù)等。

總之，1000度高溫真空探針臺(tái)用于研究多種材料和器件在不同溫度和真空環(huán)境下的性能、可靠性和穩(wěn)定性，為新材料、新器件和新技術(shù)的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用提供強(qiáng)有力的科學(xué)依據(jù)。

技術(shù)參數(shù)；

真空腔體

類(lèi)型

高溫加熱型 1000℃（高于 600℃需真空環(huán)境）

腔體材質(zhì)

6061 鋁合金

腔體重量

約1.5KG

腔體內(nèi)尺寸

147mmX72mmX22mm

腔體外尺寸

170mmX95mmX37mm

腔體上視窗尺寸

Φ42mm（可選配凹視窗用于減少窗口和樣品之間距離）

腔體抽氣口

KF16法蘭（其余接口規(guī)格可轉(zhuǎn)接）

腔體真空測(cè)量口

KF16 法蘭（其余接口規(guī)格可轉(zhuǎn)接）

腔體進(jìn)氣口

公制3mm 6mm氣管接頭 英制1/8mm 1/4mm 氣管接頭可選

腔體冷卻方式

腔體水冷+上蓋氣冷

腔體水冷接口

6mm快擰 或 6mm快插

腔體正壓

≤0.05MPa

腔體真空度

機(jī)械泵≤5Pa（5分鐘） 分子泵≤5E-3Pa（30分鐘）

樣品臺(tái)

樣品臺(tái)材質(zhì)

高溫絕緣陶瓷

樣品臺(tái)尺寸

26x26mm

樣品臺(tái)加熱方式

電阻加熱

樣品臺(tái)-視窗 距離

13mm（可選配凹視窗用于減少窗口和樣品之間距離）

樣品臺(tái)測(cè)溫傳感器

S 型熱電偶

樣品臺(tái)溫度

室溫到1000℃

樣品臺(tái)測(cè)溫誤差

±0.1℃

樣品臺(tái)升溫速率

高溫 100℃/min 值

溫控儀

溫度顯示

7寸人機(jī)界面

溫控類(lèi)型

標(biāo)準(zhǔn) PID 溫控 +自整定 30 段編程控溫

溫度分辨率

1℃

溫控精度

±1℃

溫度信號(hào)輸入類(lèi)型

S （可選 PT100 熱電阻 K B 型熱電偶）

溫控輸出

直流線性電源加熱

輔助功能

溫度數(shù)據(jù)采集并導(dǎo)出 實(shí)時(shí)溫度曲線+歷史溫度曲線 可擴(kuò)展真空讀數(shù)接口

溫控器尺寸

32cmX170cmX380cm

溫控器重量

約5.6KG

水冷機(jī)

冷卻方式

壓縮制冷

冷卻溫度

室溫到 5℃

冷卻水流量

10L/min

冷卻介質(zhì)

純水

冷卻水管接口

6mm 快插

循環(huán)水箱容量

6L

水冷機(jī)尺寸

56cmX28cmX45cm

水冷機(jī)重量

約 26KG

整機(jī)功率

600W