CVD紅外測溫儀，西安永泰傳感科技紅外測溫儀可以在以下設備中配套測溫使用，比如碳化硅生長爐測溫、單晶爐測溫、氧化擴散爐測溫、真空爐測溫；MOCVD金屬有機化學氣相沉積（Metal-Organic Chemical Vapour Deposition）是在基板上生長半導體薄膜。

PECVD等離子增強化學氣相沉積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是指等離子體增強化學的氣相沉積。

CVD化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition）是指高溫下的氣相反應。等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）\高密度等離子體化學氣相淀積（HDP CVD） \微波等離子化學氣相沉積（MPCVD）\微波電子回旋共振等離子體化學氣相沉積（ECR-MPCVD）\超高真空化學氣相沉積（UHV/CVD） \熱化學氣相沉積(TCVD)\高溫化學氣相沉積（HTCVD）\金屬有機化合物化學氣相沉積（MOCVD）\激光誘導化學氣相沉積（LCVD）等。

PVD物相沉積（Physical Vapor Deposition)是指在真空條件下采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態(tài)原子或分子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的方法，物相沉積是主要的表面處理之一。物相沉積可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。

ALD原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。以上工況的測溫具體選型歡迎聯(lián)系我們18089215349。