在100?1000nm范圍內，具有不同特性的背散射電子以不同的原子序數發射。 因此，背向散射電子圖像具有形態特征和辨別原子序數的能力。 因此，反向散射電子圖像可以反映化學元素。 成分分配。 當前的掃描電子顯微鏡非常強大，任何精細的結構或表面特征都可以放大到數十萬倍用于觀察和分析。
就PCB或焊點失效分析而言，SEM主要用于分析失效機理。 具體而言，它用于觀察焊盤表面的形態，焊點的金相結構，并測量金屬間化學分析，可焊性涂層分析和錫晶須分析。 與光學顯微鏡不同，掃描電子顯微鏡形成電子圖像，因此只有黑色和白色，并且掃描電子顯微鏡的樣品需要導電。 非導體和某些半導體需要噴涂金或碳。 否則，樣品表面上的電荷積累會影響樣品的觀察。 另外，SEM圖像的景深遠大于光學顯微鏡的景深。 對于不均勻樣品，例如金相組織，微裂紋和錫晶須，這是一種重要的分析方法。
