多晶硅料回收生產能力逐漸增加，原材料制造商有了更多的選擇，也會放棄一些使用價值低浪費。但是這個過程是相對簡單的，低成本的回收材料仍然可以降 低成本，是主要的坩堝基地和半導體材料浪費等等。

我們必須除了石英坩堝基地和半成品半導體晶片和金屬加工電路通常使用洗衣籃，籃子靜態浸泡12小時(根據酸的濃度和比例)。這種方法是簡單和節省成本。問題的表面仍在物質和酸反應的過程中，酸處理能力需要慢慢地釋放了很長一段時間。在這種情況下，如果加入循環泵，用于混合酸，縮短浸泡時間可以統一處理的效果。

如果使用超過鍋小顆粒床的傳統方法，打破細胞和電路的半導體材料浸泡很難處理或將導致更多的浪費。因為在處理的過程中雜質、酸材料中心的處理能力大大減弱，和外圍酸的強度不會改變，而且硅材料的損失。在這種情況下，應該使用傾斜浸泡，利用浮力，使材料均勻性過程中酸浸過程。

制造工藝

多晶硅太陽能電池制造過程中消耗的能量要比單晶硅太陽能電池少30％左右，因此多晶硅太陽能電池占全球太陽能電池總產量的份額大，制造成本也小于單晶硅電池，所以使用多晶硅太陽能電池將會更加的節能、環保！

其實可供制造太陽電池的半導體材料很多，隨著材料工業的發展、太陽電池的品種將越來越多。目前已進行研究和試制的太陽電池，除硅系列外，還有硫化鎘、砷化鎵、銅銦硒等類型的太陽電池，舉不勝舉，通常這些材料都會用來制作非晶硅電池。

所以，我們在選擇光伏組件的時候，建議根據實際情況選擇晶體硅光伏組件比較成熟的產品，對于單晶、多晶，一直有爭論，我們安裝商對家庭光伏發電系統的發電量并無多大區別，單晶的利用面積會比較高，單晶在面積利用率上會比較好；多晶市場比例比較高，應用的比較廣，價格方面也有一定的優勢。但我們要明白一點，對于同樣功率的光伏系統，發電量是相同的。

具體流程介紹如下：切片：將單晶硅棒切成具有幾何尺寸的薄硅片。此過程中產生的硅粉采用水淋，產生廢水和硅渣都可以利用。退火：雙工位熱氧化爐經氮氣吹掃后，用紅外加熱至300~500℃，硅片表面和氧氣發生反應的材料，使硅片技術表面形成二氧化硅再次生產。倒角：將退火的硅片進行修整成圓弧形，防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產生的硅片廢水和硅渣。硅片再利用一直秉承“變廢為寶、凈化環境”的理念，融合專業的服務體系和先進的再加工技術，為國家的環保事業，做出著應有的貢獻。

對硅片行業稍微有些了解的人都應該知道，廢硅片回收之后是必須要清洗的，而且我們還要對清洗過程給予必要的重視，不能馬馬虎虎，因為硅片回收清洗的效率將直接影響到器件的成品率、性能和可靠性。下面我們就來了解一下費硅片回收清洗的重要性。

現在人們已研制出了很多種可用于廢硅片回收清洗的工藝方法和技術，常見的有：濕法化學清 洗、超聲清洗法、兆聲清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高壓噴射法、離心噴射法、流體力學法、流體動力學法、干法清洗、微集射束流法、激光束清洗、冷凝噴霧技 術、氣相清洗、非浸潤液體噴射法、廢硅片回收在線真空清洗技術、RCA標準清洗、等離子體清洗、原位水沖洗法等。這些方法和技術現已廣泛應用于廢硅片回收 加工和器件制造中的廢硅片回收清洗。

表面沾污指硅表面上沉積有粒子、金屬、有機物、濕氣分子和自然氧化物等的一種或幾種。超純表面定義為沒有沾污的表面, 或者是超出檢測量極限的表面。