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中國半導體設備現狀
半導體設備具備的門檻和壁壘，全球半導體設備主要被日美所壟斷，核心設備如光刻、刻蝕、PVD、CVD、氧化/擴散等設備的 top3 市占率普遍在90%以上。目前光刻機、刻蝕、鍍膜、量測、清洗、離子注入等核心設備的國產率普遍較低。經過多年培育，國產半導體設備已經取得較大進展，整體水平達到 28nm，并在 14nm 和7nm 實現了部分設備的突破。具體來講，28nm 的刻蝕機、薄膜沉積設備、氧化擴散爐、清洗設備和離子注入機 已經實現量產;14nm 的硅/金屬刻蝕機、薄膜沉積設備、單片退火設備和清洗設備 已經開發成功。8 英寸的 CMP 設備也已在客戶端進行驗證;7nm 的介質刻蝕機已 被中微半導體開發成功;上海微電子已經實現 90nm 光刻機的國產化。在中低端制程，國產化率有望得到顯著提升，先進制程產線為保證產品良率，目前仍將以采購海外設備為主。
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