熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成三維空間長程有序的形式成為單晶硅。 單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本征半導體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA 族元素，如硼可提高其導電的程度，而形成p型硅半導體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導電程度，形成n型硅半導體。 單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。

生長方法:CZ / FZ method

導電類型:P-type, N-type, Intrinsic

摻雜:Boron, Phosphorous, Antimony, ArsenicorNone

晶向:<100>, <111>, <110> or others

電阻率:0.001 ~50 ohm-cm (標準),

1000 ~20000 ohm-cm(高阻)

表面拋光類型:One side polished (SSP), Double sidedpolished(DSP)

表面粗糙度:PolishRa≤0.5 nm

包裝:Class 100 Clean room cleaning and vacuum nitrogen packaging

本公司可按客戶提供的參數要求定制，以滿足客戶的生產需求，具體請來電詳談。

李先生（微信同號）